Страница 13 из 15

Re: ИЗМЕРЕНИЕ Q И РЕЗОНАНСНОЙ F КОНТУРОВ

Добавлено: 06 май 2026, 16:22
alex789
Да нет, прямо в схеме замерил С2 откинув от порта 0 нановны - честные 10 нФ. Тыкался не в кондер, а в край площадок. Дело не в контакте. Кстати резистор 51R вредит- при неизменной форме ачх, потери на 6дб увеличились.
заменил С2 на другой 10нФ - бестолку.

Re: ИЗМЕРЕНИЕ Q И РЕЗОНАНСНОЙ F КОНТУРОВ

Добавлено: 06 май 2026, 17:20
US5MSQ
alex789 писал(а):...Кстати резистор 51R вредит- при неизменной форме ачх, потери на 6дб увеличились...
Ну так так и должно быть , он образует с входным сопротивлением наноНВТ =51 Ом делитель напряжения на 2, но обеспечивает оптимальное согласование кабеля в широкополосном режиме и исключает чисто емкостную нагрузку на ОУ, которая чревата потерей его устойчивости.

Re: ИЗМЕРЕНИЕ Q И РЕЗОНАНСНОЙ F КОНТУРОВ

Добавлено: 10 май 2026, 16:49
alex789
Наладка пробника на макете докатилась до того, что длинные провода питания мешают. Придется отвлечься на изготовление прототипа со стабом под боком. Нынешние эксперименты позволяют рассчитывать на нелинейность 0.5db в диапазоне 3-120MHz. Завал в начале не удается совсем победить. Номинал R3 очень капризный. Или монтаж уже сказывается...
Входная емкость ОУ по даташиту 1.5пФ. Разве её можно как-то уменьшить внешней обвязкой?

Re: ИЗМЕРЕНИЕ Q И РЕЗОНАНСНОЙ F КОНТУРОВ

Добавлено: 10 май 2026, 18:29
US5MSQ
alex789 писал(а):...Входная емкость ОУ по даташиту 1.5пФ. Разве её можно как-то уменьшить внешней обвязкой?
Резистор смещения добавит ещё пару пФ. Но общую входную емкость можно уменьшить, например если входной конденсатор маленьким сделать 1...2 пФ, скомпенсировав снижение сигнала небольшим разгоном ОУ.

Re: ИЗМЕРЕНИЕ Q И РЕЗОНАНСНОЙ F КОНТУРОВ

Добавлено: 11 май 2026, 11:54
alex789
US5MSQ писал(а): Резистор смещения добавит ещё пару пФ. Но общую входную емкость можно уменьшить, например если входной конденсатор маленьким сделать 1...2 пФ, скомпенсировав снижение сигнала небольшим разгоном ОУ.
Сделал так, поставил 1пФ - весь диапазон корёжит, делителем оос не исправляется никак.
Так если R смещения вносит паразитную емкость, может перейти к двуполярному питанию?

Re: ИЗМЕРЕНИЕ Q И РЕЗОНАНСНОЙ F КОНТУРОВ

Добавлено: 11 май 2026, 12:24
US5MSQ
резистор вносит только емкость одного контакта+емкость контактной площадки и меньше 1-2 пФ эту монтажную емкость ещё никак не сделать, разве что увеличить при неудачном конструктиве, так что на входном выводе ОУ паразитная суммарная емкость в лучшем случае порядка 2-3 пФ.

Re: ИЗМЕРЕНИЕ Q И РЕЗОНАНСНОЙ F КОНТУРОВ

Добавлено: 23 май 2026, 16:35
alex789
Здравствуйте. Возникла проблема - на несчастных 110 МГц влияет топология платы((. Если глянете мое сообщение от 28 апреля с печаткой транзисторного пробника в *.lay, там длинный проводник до sma разъема. Он всё портит. Щас я фотки закину, и придется думать.

Re: ИЗМЕРЕНИЕ Q И РЕЗОНАНСНОЙ F КОНТУРОВ

Добавлено: 23 май 2026, 16:48
alex789
обратите внимание, что справа диапазон расширен до 120, а затухание даже меньше, чем слева на 110.
trends.jpg

Re: ИЗМЕРЕНИЕ Q И РЕЗОНАНСНОЙ F КОНТУРОВ

Добавлено: 23 май 2026, 16:52
alex789
Подстройка цепи ООС никак не спасает. При разводке макета у меня возникло подозрение насчет этого проводника, и я предусмотрел подключение сразу после выходного разделительного кондёра.
1.jpg

Re: ИЗМЕРЕНИЕ Q И РЕЗОНАНСНОЙ F КОНТУРОВ

Добавлено: 23 май 2026, 17:16
alex789
я не вижу никаких вариантов, кроме как в финишной конструкции расположить сма разъем сбоку, рядом с выходом, а клеммник питания можно тогда уж развернуть на торец.